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    層流壓差式質量流量控制器原理及介紹

    時間:2024-12-24      點擊次數(shù):525

    層流壓差式質量流量控制器基于質量守恒定律、伯努利方程以及哈根-泊肅葉定律設計,通過測量流體在管道兩端的壓差來計算流體的質量流量?。

    層流壓差原理?:當流體在管道中流動時,流體速度越快,壓力越低。層流壓差式質量流量控制器利用這一原理,在管道中安裝兩個壓力傳感器,分別測量管道兩端的壓力差?。

    ?哈根-泊肅葉定律?:在溫度、管徑等參數(shù)一定的情況下,氣體處于層流狀態(tài)時,通過獲取層流元件兩端的壓差信號,可以計算出體積流量。進一步通過溫度、壓力等參數(shù)的修正,可以獲得標準體積流量?。

    層流原理圖.png

    ?整流模塊?:層流流量計一般具有整流模塊,其作用是將湍流、過渡流等不規(guī)則流動狀態(tài)轉化為層流運動狀態(tài),以確保測量的準確性?。

    壓差傳感器?:層流氣體的進、出口兩端有兩根引壓孔,引壓孔之間有一個壓差傳感器,用于獲取兩個孔的壓差。通過壓差可以獲得層流狀態(tài)下氣體的流速,從而得出氣體流量?。

    在半導體工藝環(huán)節(jié)中,MFC助力清洗、氣相沉積、熱處理和刻蝕等操作得以順利進行。如CVD、刻蝕機和高溫爐等。以光刻為例,為了確保半導體芯片的質量與性能,氟化氫、氮氣和氧氣等氣體需以精確的流量注入反應室中,每一步操作都經過嚴格控制,確保曝光和蝕刻過程精確無誤。在這個過程中,MFC(質量流量控制器)的作用顯得尤為重要,即使微小的氣流變化也可能會導致材料的成分發(fā)生變化。對于半導體工藝而言,無論是高溫環(huán)境還是高真空環(huán)境,MFC需要具備優(yōu)異的溫度和壓力穩(wěn)定性,以確保在各種條件下仍能保持準確性和可靠性。

    易度層流壓差式質量流量控制器的優(yōu)點:

    精度高、寬量程范圍、寬溫度、寬壓力適用范圍、穩(wěn)定性強、無需預熱即開即用、一臺可測多種氣體、抗過載能力強等優(yōu)點。

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